Qualcomm Snapdragon 835: még gyorsabb töltéssel

Qualcomm Snapdragon 835

Qualcomm

Snapdragon 835

gyorstöltés

quick charge

A Qualcomm tegnap este lerántotta a leplet legújabb processzoráról, a Snapdragon 835-ről, amely a Samsunggal együtt készült, 10 nanométeres technológiával, kisebb méretben.

 További friss mobiltelefonos hírek! Kattintson ide!

Ahogy az köztudott, az androidos mobilgyártók, hogyha felsőkategóriás készüléket terveznek kiadni, szinte kivétel nélkül a Qualcomm egyik termékét választják. 2017-ben a legtöbb ilyen kategóriájú modellbe a Snapdragon 835 kerül majd, amely – akárcsak a Snapdragon 820 – a Samsunggal együtt készült. A Samsung októberben jelentette be, hogy az iparágban elsőként megkezdi a 10 nanométeres FinFET technológia tömeggyártását. A korábbi, 14 nanométeres FinFET technológiával összehasonlítva a Samsung 10 nanométeres technológiájával akár 30 százalékos növekedés érhető el a helykihasználási hatékonyság területén, 27 százalékkal nagyobb teljesítmény, vagy akár 40 százalékkal alacsonyabb energiafelhasználás mellett.

A 10 nm FinFET technológia alkalmazásával a Snapdragon 835 processzorhoz kisebb méretű chip is elegendő lesz, így a hardvergyártók több hasznosítható hellyel gazdálkodhatnak új termékeik esetében, ami lehetővé teszi nagyobb akkumulátorok elhelyezését vagy vékonyabb termékek előállítását. A feldolgozási fejlesztések és a fejlettebb kialakítású chipek várhatóan jelentős javulást eredményeznek az akkumulátorok élettartamában.

Ezzel együtt az új processzor támogatja a Qualcomm Quick Charge 4.0 gyorstöltési technológiát, mely húsz százalékkal gyorsabb mint az előd QC 3.0 és kompatibilis a C típusú USB porttal felszerelt telefonokkal.

• Phone Arena
• Phone Arena